
직접 설계합니다.
셀 구조, 공정 레시피, 패키지, 열 경로를 우리의 기술로 설계합니다.
- Cell Structure
- Process Recipe
- Package
- Thermal Path

설계부터 제조·검증·공급까지 연결하는 가상 IDM 모델
01FULL-STACK MODEL
소자 설계부터 고객 시스템 적용까지, 전 단계의 기준을 DICIO가 직접 정합니다.
디시오는 셀 구조와 공정 레시피, 패키지와 열 경로를 직접 설계하고, 로트별 공정 데이터와 인증시험, 변경 관리까지 하나의 기준으로 통제합니다. 웨이퍼, 디스크리트, 모듈 어느 형태로 공급하더라도 제품의 성능과 품질은 디시오가 책임집니다.
전 단계의 기준은 DICIO가 정하고,그 결과는 DICIO가 책임집니다.
02 WHAT MAKES DICIO DIFFERENT
디시오는 소자 설계부터 고객 시스템 적용까지 전 단계를 하나의 기준으로 직접 설계하고 통제합니다. 같은 정형의 제품이 아니라, 고객의 운전 조건에서 더 잘 동작하도록 설계하는 것이 디시오의 방식입니다.
기존 사양에서 제품을 선택하여 공급합니다.
고객 시스템에 맞춰 전 과정을 설계하고 책임집니다.
어느 응용에나 동일한 특성을 가진 범용 셀을 사용합니다.

고객의 응용과 스위칭 위치에 맞춰 소자 특성을 최적화합니다.

표준 공정을 그대로 사용합니다.

설계한 소자에 최적화된 고유 공정 레시피를 개발합니다.

범용 패키지와 정해진 구성을 사용합니다.

저인덕턴스, 열 경로 최적화 및 고객 시스템에 맞는 Drop-in 설계를 제공합니다.

표준 조건의 일반 데이터를 제공합니다.

AQG 324, JEDEC, IEC 60749 등 기준에 따라 독립 시험기관에서 검증합니다.

데이터시트를 중심으로 지원합니다.

실제 고객 시스템에서 범용 제품과 1:1로 비교하여 성능을 검증하고 최적의 조건을 도출합니다.

카탈로그 품목과 데이터시트 기준으로 공급합니다.

웨이퍼, 디스크리트, 모듈까지 한 번에 공급하며, 성능과 품질은 디시오가 직접 책임집니다.

디시오의 가상 IDM은 제조 파트너를 연결하는 것에 그치지 않습니다. 소자의 전기적 특성과 패키지 구조, 모듈 토폴로지와 고객 시스템의 운전조건을 하나의 설계 과정으로 통합합니다.
| 플랫폼 구성 | 내용 |
|---|---|
| 반도체 기술 | Si IGBT, SiC MOSFET, SiC SBD |
| 전압 플랫폼 | 600V~4,500V |
| 공급 형태 | Wafer·Bare Die, Discrete, Module |
| 모듈 기술 | IGBT, Hybrid IGBT, Full SiC |
| 패키징 기술 | 저인덕턴스 구조, 절연기판, 열 설계 |
| 적용 지원 | 제품 선정, 샘플 평가, 맞춤설계, 공동개발 |
전압 범위는 전체 기술 플랫폼을 의미하며, 홈페이지의 개별 제품에는 다음과 같이 공급 상태를 구분해 표시합니다.
디시오의 차별점은 Application-Oriented Power Module Design으로 설명됩니다.
디시오는 미리 정해진 모듈을 공급하는 데 그치지 않고, 고객 시스템의 운전조건을 분석하여 반도체 특성과 모듈 구조를 함께 조정합니다.
전압과 전류만 일치하는 제품이 아니라 토폴로지, 스위칭 주파수와 냉각조건까지 고려한 솔루션을 제안합니다.
고객의 개발단계와 내부 역량에 따라 Wafer·Bare Die, Discrete 또는 Module 형태로 공급할 수 있습니다.
소자 선정부터 패키징과 모듈 설계를 하나의 기술창구에서 협의하여 개발 과정의 복잡성을 줄입니다.
낮은 VCE(sat)나 RDS(on)과 같은 단일 수치만이 아니라 전도 손실, 스위칭 손실과 열 성능을 종합적으로 고려합니다.
제품 특성에 맞는 전문 제조 파트너를 활용해 특정 생산설비에 대한 의존도를 낮추고 공급 선택지를 확보합니다.
초기 제품 선정에서 샘플 평가, 맞춤형 설계와 양산 전환까지 고객의 제품 개발과정을 함께 지원합니다.