Name: 디스크리트 & 웨이퍼 — TO-247, QDPAK, Bare Die | DICIO
Brand: Dicio Inc.

설계에 필요한 형태로공급하는 전력반도체플랫폼설계에 필요한 형태로 공급하는전력반도체 플랫폼

디시오 모듈에 적용되는 SiC MOSFET · SiC SBD · Trench-Gate IGBT를 Discrete 소자와 Bare Die · Wafer 형태로도 공급합니다.

기존 Through-hole 설계에는 TO-247, 고밀도 SMD 파워스테이지에는 JEDEC MO-354(QDPAK), 자체 모듈과 패키지를 개발하는 고객에게는 Wafer · Sawn Die · KGD 형태로 대응합니다.

Same Die as Our Modules

모듈과 동일한 DICIO 소자 기술

Industry-Standard Packages

TO-247 · JEDEC MO-354

Device-Level Supply

Wafer · Sawn Die · KGD

01 / 03

Discrete & Wafer

TO-247 Discrete

업계 표준 TO-247 패키지의 SiC MOSFET · SiC Schottky Diode · IGBT

전압

600 / 1200 / 1700 V*

기술

SiC MOSFET · SiC SBD · IGBT

패키지

TO-247-3 / TO-247-4

Overview

디시오 TO-247 Discrete는 자체 SiC MOSFET · SiC SBD · Trench-Gate IGBT 칩을 가장 널리 사용되는 Through-hole 전력 패키지에 적용한 제품입니다.

4-lead Kelvin Source 버전은 Gate Return 경로를 Power Source 경로와 분리하여 높은 di/dt 조건에서도 정밀한 Gate Control이 가능하며, 표준 Footprint를 기반으로 기존 Inverter · PSU · Charger Board에 적용할 수 있습니다.

Applications

Solar Inverter
ESS
EV Charger
Industrial PSU
Motor Drive
UPS

Key Features

SiC MOSFET · SiC SBD · IGBT 선택
TO-247-3 / TO-247-4
4-lead Kelvin Source
낮은 열저항
낮은 기생 인덕턴스
Industry-standard Footprint
2nd Source Compatible

Specifications

전압 등급	600 / 1200 / 1700 V*
전류 / RDS(on)	데이터시트 참조
패키지	TO-247-3 / TO-247-4
기술	SiC MOSFET / SiC SBD / IGBT
Tj max	데이터시트 참조

Compliance · RoHS / REACH / Halogen-free — TBC

디시오 TO-247 Discrete는 자체 SiC MOSFET · SiC SBD · Trench-Gate IGBT 칩을 가장 널리 사용되는 Through-hole 전력 패키지에 적용한 제품입니다.

Downloads & Resources

TO-247 Discrete 관련 자료

샘플 요청

* 개발 중

DISCRETE & WAFER