Si IGBT부터 Full SiC까지, 다양한 전력변환 요구에 대응하는 모듈 플랫폼
Power Modules
디시오 전력모듈은 산업 현장에서 이미 사용되는 표준 Footprint에 적용할 수 있도록 설계되었습니다.
사용 중인 변환기에 맞는 하우징을 선택하고 시스템의 효율과 전력밀도 요구에 따라 Trench-Gate IGBT, IGBT + SiC SBD Hybrid, Full SiC MOSFET 기술을 적용할 수 있습니다.
데이터시트와 시뮬레이션 모델부터 응용 엔지니어링까지 디시오 국내 설계팀이 직접 지원합니다.
기존 산업 표준 하우징과 기구적 호환
Si IGBT → Hybrid → Full SiC
Datasheet · Simulation · Sample · Application Engineering
PRODUCT LINE-UP
제품을 선택해 사양과 응용 분야를 확인하세요.
01 / 07
Power Semiconductor Modules
PCB 실장형 변환기를 위한 저높이 Baseplate-less SiC 전력모듈
전압
2000 V / 2300 V*
Vdc
전류
SiC MOSFET
Inom
구성
—
SlimFRAME™ 1 / 2 / 3
기술
SiC MOSFET
Footprint
Baseplate-less · PressFIT · ~12 mm
SlimFRAME™은 PCB 실장형 파워스테이지를 위한 저높이 SiC MOSFET 모듈 플랫폼입니다. Baseplate-less 구조와 PressFIT 핀을 적용하여 PCB와 히트싱크 사이에 직접 설치하며, 2000 V 및 2300 V* 클래스는 1500 V DC 시스템을 단순한 2-Level Topology로 구현할 수 있도록 설계되었습니다.
SlimFRAME™ 1 / 2 / 3 관련 자료
* 개발 중
MODULE SELECTION SUPPORT
전압, 전류, Topology, Switching Frequency와 Cooling 조건을 알려주세요. DICIO 엔지니어가 시스템에 적합한 Power Module을 함께 검토합니다.